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SOURCE-DRAIN DIODE. Diode Forward Voltage (Note 8). VSD. -. -. -0.95. V. 1. µA.

PSMN165-200K N-channel enhancement mode field - NXP

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AFN1912E, N-Channel enhancement VDS=10V,ID=1.0A. 1.

Data Sheet - Analog Devices

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VGS = 0V, IS = -200mA. -. -. -1.2. V. *1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1%. *2 Each terminal mounted on a reference land. *3 Pulsed www.rohm.com.

FIGURE 5-1:. R6020KNX. Nch 600V 20A Power MOSFET. Datasheet. lOutline. VDSS. 600V *1.

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I S. TJ = 25 °C. 1. NCE85H21C. Pb Free Product http://www.ncepower.com. NCE N-Channel Drain-Source Diode Characteristics.

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±100. nA Drain-Source Diode Characteristics. Diode Forward Voltage (Note 3). VSD. 1. VGS=-30V.

2.7. V. ID(ON). 50. A. 11. 13. TJ=125°C.

GN. D. 2. n.c.. application/pdf：pdf格式; application/msword ： Word文档格式; application/octet- stream ： 二进制流数据（如常见的文件下载）; application/x-  2020年11月3日 【Visio 2013 32位/64位中文版下载须知】：. 安装步骤：关注微信公众号：环球 设计联盟（id：zshid001），回复“visio2013”获得。 1 Jan 2016 Form Popularity veteran status verification form vsd 001.